標(biāo)準(zhǔn)簡介：本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了由測量硅片間隙氧含量的減少量來檢驗硅片氧沉淀特性的方法原理、取樣規(guī)則、熱處理程序、試驗步驟、數(shù)據(jù)計算等內(nèi)容。本標(biāo)準(zhǔn)用于定性比較兩批或多批集成電路用硅片間隙氧沉淀特性。

標(biāo)準(zhǔn)號：GB/T 19444-2004

標(biāo)準(zhǔn)名稱：硅片氧沉淀特性的測定-間隙氧含量減少法

英文名稱：Oxygen precipitation characterization of silicon wafers by measurement of interstitial oxygen reduction

標(biāo)準(zhǔn)類型：國家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì)：推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài)：現(xiàn)行

發(fā)布日期：2004-02-05

實施日期：2004-07-01

中國標(biāo)準(zhǔn)分類號（CCS）：冶金>>金屬理化性能試驗方法>>H26金屬無損檢驗方法

國際標(biāo)準(zhǔn)分類號（ICS）：電氣工程>>絕緣流體>>29.040.01絕緣流體綜合

起草單位：洛陽單晶硅有限責(zé)任公司、中國有色金屬工業(yè)標(biāo)準(zhǔn)計量質(zhì)量研究所

歸口單位：全國半導(dǎo)體材料和設(shè)備標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會

發(fā)布單位：國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗檢疫.

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。