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GB/T15649-1995半導(dǎo)體激光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

檢測(cè)報(bào)告圖片樣例

標(biāo)準(zhǔn)簡(jiǎn)介:本空白詳細(xì)規(guī)范規(guī)定了制定半導(dǎo)體激光二極管詳細(xì)規(guī)范的基本原則,制定該范圍內(nèi)的所有詳細(xì)規(guī)范應(yīng)與本空白詳細(xì)規(guī)范相一致。

標(biāo)準(zhǔn)號(hào):GB/T 15649-1995

標(biāo)準(zhǔn)名稱:半導(dǎo)體激光二極管空白詳細(xì)規(guī)范

英文名稱:Blank detail specification for semiconductor laser diodes

標(biāo)準(zhǔn)類型:國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)

標(biāo)準(zhǔn)性質(zhì):推薦性

標(biāo)準(zhǔn)狀態(tài):現(xiàn)行

發(fā)布日期:1995-07-24

實(shí)施日期:1996-04-01

中國(guó)標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(CCS):>>>>L48

國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)分類號(hào)(ICS):電子學(xué)>>31.260光電子學(xué)、激光設(shè)備

起草單位:電子工業(yè)部四十四所

歸口單位:全國(guó)半導(dǎo)體器件標(biāo)準(zhǔn)化技術(shù)委員會(huì)

發(fā)布單位:國(guó)家技術(shù)監(jiān)督局

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

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