GB/T 5252-2020.Test method for dislocation density of monocrystal germanium.
1范圍
GB/T 5252規(guī)定了鍺單晶位錯密度的測試方法。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 8756鍺晶體缺陷圖譜
GB/T 14264半 導(dǎo)體材料術(shù)語
3術(shù)語和定義
GB/T 8756和GB/T 14264界定的術(shù)語和定義適用于本文件。
4方法原理
鍺單晶中位錯周圍的晶格會發(fā)生畸變,當(dāng)用某些化學(xué)腐蝕劑腐蝕晶體表面時,在晶體表面上的位錯露頭處腐蝕速度較快,進(jìn)而形成具有特定形狀的腐蝕坑。在顯微鏡下觀察并按一定規(guī)則統(tǒng)計這些具有特定形狀的腐蝕坑，單位視場面積內(nèi)的腐蝕坑個數(shù)即為位錯密度。
6儀器設(shè)備
6.1 金相顯微鏡:放大倍數(shù)40倍~200倍,能夠滿足8.2規(guī)定的視場面積要求。
6.2 游標(biāo)卡尺:分度值為0.02 mm。
6.3切削、研磨單晶的設(shè)備。
6.4 耐氫氟酸、硝酸等化學(xué)藥品腐蝕的容器。
7試樣制備
7.1定向切取
對待測的鍺單晶錠定向后,垂直于鍺單晶的生長方向切取測試片試樣,其晶向偏離度應(yīng)不大于2°,厚度宜不小于5 mm。
7.2 研磨
用碳化硅磨料或白剛玉粉研磨試樣,使其表面平整，自然光下無目視可見的機(jī)械劃痕，然后用水清洗后干燥。
7.3化學(xué)拋光
用加熱至50°C~60°C的拋光液將研磨后的試樣拋光30s,至無損傷的光亮表面。
7.4腐蝕
7.4.1 {111} 晶面:將拋光后的試樣置于腐蝕液A中煮沸5 min~10 min至鏡面,或不經(jīng)7.3所述的化學(xué)拋光,直接在加熱至70 °C~80 °C的腐蝕液B中浸泡至鏡面。
7.4.2{100}晶面:將拋光后的試樣在冷卻至10°C士5°C的腐蝕液C中浸泡5min~10min至鏡面。
7.4.3 {113} 晶面:將拋光后的試樣在冷卻至10°C士5 °C的腐蝕液D中浸泡5 min~10 min至鏡面。
7.5清潔處理
用加熱至40 °C~60 °C流動的熱水沖洗試樣5 s~10 s,將吸附在試樣上的試劑充分洗凈并干燥。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。