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GB/T39145-2020硅片表面金屬元素含量的測(cè)定電感耦合等離子體質(zhì)譜法

檢測(cè)報(bào)告圖片樣例

GB/T 39145-2020.Test method for the content of surface metal elements on silicon wafers-Inductively coupled plasma mass spectrometry.
1范圍
GB/T 39145規(guī)定了電感耦合等離子體質(zhì)譜法測(cè)定硅片表面金屬元素含量的方法。
GB/T 39145適用于硅單晶拋光片和硅外延片表面痕量金屬鈉、鎂、鋁、鉀、鈣、鉻、錳、鐵、鈷、鎳、銅、鋅元素含量的測(cè)定。本標(biāo)準(zhǔn)同時(shí)也適用于硅退火片、硅擴(kuò)散片等無(wú)圖形硅片表面痕量金屬元素含量的測(cè)定。
注:硅片表面的金屬元素含量以每平方厘米的原子數(shù)計(jì)。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
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3術(shù)語(yǔ)和定義
GB/T 14264、GB/T 17433、GB/T 37837和JJF 1159界定的以及下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。
3.1
掃描溶液 scanning solution
通過(guò)掃描方式收集的含有硅片表面痕量金屬元素的溶液。
3.2
直接酸滴分解法 direct acid droplet decomposition ;DADD
用含有氫氟酸的提取液分解硅片表面的氧化層,形成疏水性表面,使硅片表面的痕量金屬被收集到提取液中形成掃描溶液。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

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