GB/T 39157-2020.Classification and definition of the technology readiness levels for targets.
1范圍
GB/T 39157規(guī)定了靶材技術(shù)成熟度的術(shù)語和定義、等級劃分和判定規(guī)則。
GB/T 39157適用于靶材技術(shù)成熟度評價。
2術(shù) 語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件。
2.1
靶材 target
在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分。該陰極材料在帶正電荷的陽離子撞擊下以分子、原子或離子的形式脫離陰極而在陽極表面沉積。
2.2
技術(shù)成熟度 technology readiness
技術(shù)滿足預(yù)期靶材應(yīng)用目標的程度。
2.3
技術(shù)成熟度等級 technology readiness levels
用于衡量靶材技術(shù)滿足預(yù)期應(yīng)用目標程度的尺度。
注:改寫GB/T 37264-2018,定義2.2。
2.4
技術(shù)參數(shù) technical parameter
針對某一事物在規(guī)定的檢測條件下得出的相對數(shù)據(jù)。
注:一般是指設(shè)計或生產(chǎn)時做出的性能測試報告。
2.5
靶材樣品 target samples
在實驗室階段,根據(jù)靶材設(shè)計要求而制備的用于測試主要性能、結(jié)構(gòu)和檢驗.工藝性能的實物,具備了靶材的部分特性。
注:改寫GB/T 37264-2018,定義2.3.
2.6
靶材試制品 target developed products
在靶材工程化階段,考慮較終形式，并在實驗室環(huán)境或使用環(huán)境下,對靶材關(guān)鍵性能和功能進行測試,通過小批量或小規(guī)模制備的實物。
注:改寫GB/T 37264-2018,定義2.4。
2.7
實驗室環(huán)境 laboratory environments
實驗室的檢測和校準設(shè)施以及環(huán)境條件,用于驗證技術(shù)原理和使用功能。
2.8
模擬環(huán)境 simulation environments
模擬真實使用環(huán)境,用以驗證靶材的關(guān)鍵性能或其主要組成部分的關(guān)鍵性能。

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。