GB/T 39159-2020.High purity copper alloy target for integrated circuit.
1范圍
GB/T 39159規(guī)定了集成電路用高純銅合金靶材(以下簡(jiǎn)稱靶材)的分類、技術(shù)要求、試驗(yàn)方法、檢驗(yàn)規(guī)則及標(biāo)志、包裝、運(yùn)輸貯存、質(zhì)量證明書和訂貨單(或合同)內(nèi)容。
GB/T 39159適用于集成電路制造用的高純銅鋁(CuAl)合金靶材和高純銅錳(CuMn)合金靶材。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 8170數(shù)值修約規(guī)則與極限數(shù)值的表示和判定
GB/T 8651金 屬板材超聲板波探傷方法
GB/T 14265金屬材料中氫、氧、氮、碳和硫分析方法通則
GB/T 36165金屬平均晶粒度的測(cè)定電子背散射衍射(EBSD)法
YS/T 347銅及銅合金 平均晶粒度測(cè)定 方法
YS/T 482銅及銅合金分析方法 光電 發(fā)射光譜法
YS/T 837濺射靶材-背板結(jié)合質(zhì)量超聲波檢驗(yàn)方法
YS/T 922高純銅化學(xué)分析方法 痕量雜質(zhì)元素 含量的測(cè)定輝 光放電質(zhì)譜法
3術(shù)語(yǔ)和定義
下列術(shù)語(yǔ)和定義適用于本文件。
3.1
靶材 target
在濺射沉積技術(shù)中的陰極部分。該陰極材料在帶正電荷的陽(yáng)離子撞擊下以分子、原子或離子的形式脫離陰極而在陽(yáng)極表面沉積。
3.2
靶坯 target blank
陰極上用作濺射材料的材料。
3.3
背板 backing plate
用來(lái)支撐或固定靶材的材料。
注:靶坯與背板可以通過焊接(如釬焊、電子束焊、擴(kuò)散焊等)、機(jī)械復(fù)合、粘接等方式連接。
3.4
表面粗糙度 surface roughness
Ra
加工表面具有的較小間距和微小峰谷的不平度。輪廓的平均算術(shù)偏差值Ra,即在一定測(cè)量長(zhǎng)度l范圍內(nèi),輪廓上各點(diǎn)至中線距離y絕對(duì)值的平均算術(shù)偏差。

檢測(cè)流程步驟

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