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GB/T17626.24-2012電磁兼容試驗(yàn)和測(cè)量技術(shù)HEMP傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法

檢測(cè)報(bào)告圖片樣例

GB/T 17626.24-2012.Elctromagnetic compatibility-Testing and measurement techniques-Test methods for protective devices for HEMP conducted disturbance.
1范圍
GB/T 17626.24規(guī)定了高空電磁脈沖(HEMP)傳導(dǎo)騷擾保護(hù)裝置的試驗(yàn)方法。它主要包括電壓擊穿和電壓限制特性的試驗(yàn),以及在HEMP條件下,電壓(u)和電流(i)作為時(shí)間函數(shù)快速變化時(shí)的殘余電壓的測(cè)量方法。
2規(guī)范性引用文件
下列文件對(duì)于本文件的應(yīng)用是必不可少的。凡是注日期的引用文件,僅注日期的版本適用于本文件。凡是不注日期的引用文件,其較新版本(包括所有的修改單)適用于本文件。
GB/T 4365-2003電工術(shù)語電磁兼 容(IEC 60050(161):1990 ,IDT)
3術(shù)語和定義
下列術(shù)語和定義適用于本文件。
3.1
DUT
受試裝置。
3.2
氣體放電管 gas discharge tube
由兩個(gè)或三個(gè)金屬電極形成的一個(gè)或幾個(gè)密封的間隙,其內(nèi)氣體混合物和氣壓可以控制,用來保護(hù)設(shè)備或操作人員免受高暫態(tài)電壓傷害。
3.3
初級(jí)保護(hù)元件 primary protection element
從保護(hù)措施的非保護(hù)側(cè)看,分流大部分浪涌電流的第一組保護(hù)元件。
3.4
保護(hù)側(cè) protected side
保護(hù)措施中,被保護(hù)設(shè)備所在的一側(cè).
3.5
非保護(hù)側(cè) unprotected side
保護(hù)措施中,會(huì)出現(xiàn)浪涌的一側(cè)。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

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