檢測報告圖片
四探針電阻率檢測有哪些參考依據(jù)?檢測標準有哪些?費用是多少?百檢檢測可依據(jù)相關(guān)標準制定試驗方案。對導(dǎo)電陶瓷薄膜、硅晶體、硅晶片等樣品進行檢測分析。并出具嚴謹公正的檢測報告。
項目簡介
四探針檢測技術(shù)，簡稱為四探針法，是測量半導(dǎo)體電阻率*常用的一種方法;
四探針檢測技術(shù)，是用4根等間距配置的探針扎在半導(dǎo)體表面上，由恒流源給外側(cè)的兩根探針提供一個適當小的電流I，然后測量出中間兩根探針之間的電壓V，就可以求出半導(dǎo)體的電阻率。對于厚度為W(遠小于長和寬)的薄半導(dǎo)體片，得到電阻率為ρ=ηW(V/I)，式中η是修正系數(shù)。
適用樣品
鍺單晶、導(dǎo)電陶瓷薄膜、硅晶體、硅晶片、硅棒、硅外延層、半導(dǎo)體材料等。
粉體提供3-5g，壓片檢測，至少保證壓實后體積不小于1cm3;薄膜，提供準確膜厚，厚度均勻;塊體上下平行，*好拋光處理;厚度務(wù)必在 50μm至3mm之間，不得超過3mm，長寬*佳尺寸：10mm×10mm以上。
相關(guān)參考標準
GB/T 26074-2010 鍺單晶電阻率直流四探針測量方法
KS L 1619-2013(2018) 四探針陣列導(dǎo)電陶瓷薄膜電阻率檢測方法
KS C 0256-2002(2017) 具有四點探針的硅晶體和硅晶片的電阻率檢測方法
KS C 0256-2002(2022) 硅晶體和硅片電阻率的四點探針檢測方法
ASTM F672-88(1995)e1 用擴展電阻探針測量垂直于硅片表面電阻率分布的標準試驗方法
ASTM F397-93(1999) 用兩點探針測定硅棒電阻率的標準試驗方法
JIS R1637-1998 用四點探針排列法測定傳導(dǎo)精細陶瓷薄膜電阻率的試驗方法
SJ/T 10481-1994 硅外延層電阻率的面接觸三探針.檢測方法
SJ/T 10314-1992 直流四探針電阻率檢測儀通用技術(shù)條件
KS D 0260-1989(1994) 具有四點探針的單晶硅片的電阻率檢測方法
DIN 50431-1988 半導(dǎo)體材料的試驗.用探針直線排列的四探針/直流法測量單晶硅或鍺單晶體的電阻率
辦理檢測報告的目的
1、評定產(chǎn)品質(zhì)量的好壞;
2、判斷產(chǎn)品質(zhì)量等級，即缺陷嚴重程度;
3、對工藝流程進行檢驗和工序質(zhì)量的監(jiān)督;
4.對質(zhì)量數(shù)據(jù)進行搜集統(tǒng)計與分析，以便為質(zhì)量改進與質(zhì)量管理活動的開展奠定基礎(chǔ);
檢測時間周期
一般3-10天出報告，有的項目1天出報告，具體根據(jù)四探針電阻率檢測檢驗認證測試項目而定。
檢測報告有效期
一般四探針電阻率檢測檢驗認證測試報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間。檢測報告上不會標注有效期。
檢測流程步驟
1、電話溝通、確認需求；
2、推薦方案、確認報價；
3、郵寄樣品、安排檢測；
4、進度跟蹤、結(jié)果反饋；
5、出具報告、售后服務(wù)；
6、如需加急、優(yōu)先處理；
溫馨提示：以上關(guān)于《四探針電阻率檢測檢驗認證測試》內(nèi)容僅為部分列舉供參考使用，百檢網(wǎng)匯集眾多CNAS、CMA、CAL等資質(zhì)的檢測機構(gòu)遍布全國，更多檢測需求請咨詢客服。
