檢測報告圖片

檢波法

利用電子管、晶體管的檢波作用將交流電壓轉(zhuǎn)換為直流電壓進行測量。檢波式電壓表的工作頻率一般從幾十赫到一千多兆赫，量程達 100微伏——1000伏。頻率在300兆赫以下時，精確度一般約為百分之幾，頻率在1000兆赫時則可達百分之幾十。

采樣法

采樣實質(zhì)上是頻率變換，是用一系列離散的取樣脈沖來描述一個連續(xù)變量的過程。一般是將被測高頻信號變成20千赫的低頻信號，再進行檢波測量。這種電壓表的頻率范圍為 1——1000兆赫，甚至更高;電壓范圍約300微伏——1伏(外接衰減器可測量大的電壓)，精確度從百分之一到百分之十幾。

熱電法

主要采用熱電轉(zhuǎn)換標準或微電位計。熱電轉(zhuǎn)換標準由熱電偶配以適當?shù)南蘖麟娮杌蛩p器組成，可測0.1——300伏或更高的電壓，頻率范圍一般為20赫——100兆赫，若采取高頻補償措施則可達1000兆赫，測量精確度約為 0.01%——1%(定標后)。利用多元熱偶特制的熱電轉(zhuǎn)換器，在低頻段的交直流轉(zhuǎn)換精度可達110-5或更高，當代的低頻電壓原始標準皆屬此類;微電位計主要由熱電偶和圓盤電阻組成，利用已知電流乘電阻得到標準輸出電壓，一般為0.1微伏——400毫伏，頻率范圍一般為0——1000兆赫，精確度為0.02%——5%。 

測輻射熱器法

一般是利用測輻射熱電阻(簡稱測熱電阻)進行測量。實用的測熱電阻主要有熱敏電阻、鎮(zhèn)流電阻和薄膜熱變電阻。熱敏電阻的靈敏度高(可達數(shù)萬歐/瓦)，但頻率響應(yīng)差;鎮(zhèn)流電阻的靈敏度較高(約數(shù)千歐/瓦)，頻率響應(yīng)也較差。薄膜熱變電阻的靈敏度較低(約1——100歐/瓦)，但頻率響應(yīng)好，可根據(jù)不同需要選用。測輻射熱裝置的工作原理是利用測熱電阻對電功率的敏感性，將被測高頻電壓轉(zhuǎn)換成相應(yīng)的阻值變化，再根據(jù)功率替代原理，利用測熱技術(shù)以已知的直流或低頻電壓代替高頻電壓。這種裝置有功率計式(標準表式)和標準源式二種類型。前者是通過測量功率和阻抗換算出電壓，隨著功率和阻抗測量精確度的不斷提高，可以達到很高的精確度，是建立高頻電壓原始標準的方法之一;后者是直接給出標準電壓值，比較方便，可獲得較高的精確度，其典型的方案是測熱電阻電橋。高頻電壓的原始標準主要是測輻射熱裝置。它的量程約為0.1——1伏，頻率范圍約為10——1000兆赫，精確度約為0.2%——1%。

高頻電壓測量測量高頻電壓一般是在同軸系統(tǒng)中進行。

影響高頻電壓測量的精確度的主要因素有：①傳輸誤差，由于被校設(shè)備的輸入阻抗與傳輸線不匹配，在傳輸線上會有駐波存在，使被校設(shè)備的輸入面和標準電壓面的電壓不等，所引入的誤差是高頻測量時的主要誤差;②加載誤差;③接地電流引入的誤差;④干擾引入的誤差;⑤波形誤差等。 

電壓檢測標準

GB/T 4377-2018 半導體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法

GB/T 5095.2-156 0190 2607 電子設(shè)備用機電元件 基本試驗規(guī)程及測量方法 第2部分;一般檢查、電連續(xù)性和接觸電阻測試、絕緣試驗和電壓應(yīng)力試驗

GB/T 6798-1996 半導體集成電路 電壓比較器測試方法的基本原理

GB/T 4377-1996 半導體集成電路 電壓調(diào)整器測試方法的基本原理

GB/T 14114-1993 半導體集成電路電壓/頻率和頻率/電壓轉(zhuǎn)換器測試方法的基本原理

GB/T 3789.10-1991 發(fā)射管電性能測試方法 第一柵極截止電壓的測試方法

GB/T 3789.11-1991 發(fā)射管電性能測試方法 第三柵極截止電壓的測試方法

GB/T 3789.20-1991 發(fā)射管電性能測試方法 第一柵極電流截止電壓的測試方法

GB/T 12272-1990 射頻同軸連接器耐射頻高電位電壓測試方法

GB/T 11755.1-1989 醫(yī)用診斷X射線機管電壓測試方法

檢測報告有效期

一般電壓檢測報告上會標注實驗室收到樣品的時間、出具報告的時間，不會標注有效期。

檢測費用價格

需要根據(jù)檢測項目、樣品數(shù)量及檢測標準而定，請聯(lián)系我們確定后報價。

檢測流程步驟

檢測機構(gòu)平臺

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