檢測樣品

金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管、柵極耦合場效應(yīng)管、金屬-半導(dǎo)體場效應(yīng)管、硅基場效應(yīng)管、碳化硅場效應(yīng)管、N溝道型場效應(yīng)管、P溝道型場效應(yīng)管、雙極溝道型場效應(yīng)管、增強(qiáng)型場效應(yīng)管、耗盡型場效應(yīng)管、晶體管封裝形式場效應(yīng)管、芯片級封裝形式場效應(yīng)管、功率MOSFET、小信號MOSFET、CMOS等。

檢測項(xiàng)目

導(dǎo)通電阻檢測、漏電流檢測、絕緣電阻檢測、放大系數(shù)檢測、噪聲系數(shù)檢測、頻率響應(yīng)檢測、電壓放大系數(shù)檢測、電流放大系數(shù)檢測、靜態(tài)工作點(diǎn)檢測、反向擊穿電壓檢測、柵源漏電流檢測、輸入電容檢測、輸出電容檢測、轉(zhuǎn)移電導(dǎo)檢測、穩(wěn)態(tài)輸出電壓波形檢測、穩(wěn)態(tài)輸出電流波形檢測、動態(tài)特性檢測、溫度特性檢測、工作壽命檢測、引腳間絕緣檢測等。

檢測周期

一般7-10個(gè)工作日出具報(bào)告，可加急。

參考標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范

NF C80-203-2010 半導(dǎo)體器件.金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFETs)移動離子試驗(yàn)

BS QC 720104-1997 電子元件的質(zhì)量評定協(xié)調(diào)體系.半導(dǎo)體裝置.光電子裝置.光纖維系統(tǒng)或分系統(tǒng)用帶/不帶引線的場效應(yīng)管管腳組件額空白詳細(xì)規(guī)格

DLA SMD-5962-00521 REV D-2003 單片硅輻射硬化數(shù)字非線性微電路互補(bǔ)開關(guān)場效應(yīng)管驅(qū)動器

IEC 62417:2010 半導(dǎo)體器件.金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFETs)移動離子試驗(yàn)

JEDEC JEP69-B-1973 場效應(yīng)管用優(yōu)先引腳外形

IEC 62373:2006 金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管(MOSFET)的基本溫度穩(wěn)定性試驗(yàn)

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。