檢測范圍：

光電二極管等。

檢測項目：

正向電壓、暗電流、反向擊穿電壓、結電容、陣列串擾、反向擊穿電壓溫度系數(shù)、響應度、內響應度非均勻性、間響應度非均勻性、發(fā)射極擊穿電壓、飽和壓降、上升和下降時間、電流等。

依據(jù)檢測標準

YD/T 835-1996 雪崩光電二極管檢測方法

SJ/T 2214-2015 半導體光電二極管和光電晶體管檢測方法

GB/T 23729-2009 閃爍探測器用光電二極管.試驗方法

SJ/T 2216-2015 硅光電二極管技術規(guī)范

SJ/T 2354-2015 PIN、雪崩光電二極管檢測方法

GB/T 21194-2007 通信設備用的光電子器件的可靠性通用要求

YD/T 2342-2011 通信用光電子器件可靠性試驗方法

GB/T 15651-1995 半導體器件 分立器件和集成電路 第5部分:光電子器件

JB/T 5186-1991 照相機用硅光電二極管

SJ 2354.3-1983 PIN、雪崩光電二極管暗電流的檢測方法

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。