- N +

多晶硅檢測(cè)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)明細(xì)

檢測(cè)報(bào)告圖片樣例

多晶硅檢測(cè)報(bào)告如何辦理?檢測(cè)費(fèi)用與價(jià)格是多少錢呢?檢測(cè)時(shí)間需要多久呢?下面小編為您解答。百檢也可依據(jù)相應(yīng)多晶硅檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)或者根據(jù)您的需求設(shè)計(jì)檢測(cè)方案,以滿足您多樣化的需求。做檢測(cè),上百檢!我們只做真實(shí)檢測(cè)。

檢測(cè)周期/方式/費(fèi)用

周期:一般3-15個(gè)工作日,可加急。

方式:可寄樣檢測(cè)、目測(cè)檢測(cè)、見證試驗(yàn)、現(xiàn)場(chǎng)檢測(cè)等。

費(fèi)用:具體根據(jù)檢測(cè)樣品數(shù)量和項(xiàng)目而定。詳情請(qǐng)咨詢?cè)诰€客服。

檢測(cè)項(xiàng)目

輻照不穩(wěn)定度、光譜范圍、硅片厚度、總厚度變化、電性能檢測(cè)誤差、測(cè)量電壓、有效檢測(cè)面積、平整度、局部平整度、翹曲度、類型、電阻率等。

檢測(cè)范圍

多晶硅料、多晶硅太陽能板、多晶硅組件、電子級(jí)多晶硅、低溫多晶硅、多晶硅電池、光伏多晶硅、多晶硅鑄錠等。

檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)

T/CEMIA 018-2019 光伏多晶硅用熔融石英陶瓷坩堝

YS/T 724-2016 多晶硅用硅粉

YS/T 14-2015 異質(zhì)外延層和硅多晶層厚度的測(cè)量方法

YS/T 1061-2015 改良西門子法多晶硅用硅芯

YS/T 983-2014 多晶硅還原爐和氫化爐尾氣成分的測(cè)定方法

T/CNIA 0064-2020 多晶硅行業(yè)用無塵擦拭布中雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體原子發(fā)射光譜法

T/CNIA 0060-2020 多晶硅用氫氣中磷化氫含量的測(cè)定 氣相色譜法

GB/T 10067.416-2019 電熱和電磁處理裝置基本技術(shù)條件 第416部分:多晶硅鑄錠爐

T/CNIA 0018-2019 多晶硅廠動(dòng)火受限安全檢測(cè)作業(yè)規(guī)范

T/CNIA 0017-2019 多晶硅用氯硅烷中雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T 29055-2019 太陽能電池用多晶硅片

GB/T 29054-2019 太陽能電池用鑄造多晶硅塊

T/CNIA 0016-2019 多晶硅用回收氫氣中氯化氫、氮?dú)?、氧氣、總碳含量的測(cè)定 氣相色譜法

T/CNIA 0014-2019 多晶硅生產(chǎn)用瓷環(huán)

T/CNIA 0013-2019 多晶硅生產(chǎn)用石墨制品

GB/T 4059-2018 硅多晶氣氛區(qū)熔基磷檢驗(yàn)方法

GB/T 37051-2018 太陽能級(jí)多晶硅錠、硅片晶體缺陷密度測(cè)定方法

GB/T 37049-2018 電子級(jí)多晶硅中基體金屬雜質(zhì)含量的測(cè)定 電感耦合等離子體質(zhì)譜法

GB/T 4060-2018 硅多晶真空區(qū)熔基硼檢驗(yàn)方法

GB/T 35309-2017 用區(qū)熔法和光譜分析法評(píng)價(jià)顆粒狀多晶硅的規(guī)程

以上就是多晶硅檢測(cè)相關(guān)信息,僅供參考,更多檢測(cè)問題請(qǐng)咨詢客服。為您提供一站式的檢測(cè)服務(wù)。檢測(cè)報(bào)告真實(shí)有效。

檢測(cè)流程步驟

檢測(cè)流程步驟

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考使用,更多檢測(cè)需求請(qǐng)咨詢客服。

返回列表
上一篇:鉆具檢測(cè)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)明細(xì)
下一篇:鈦網(wǎng)檢測(cè)項(xiàng)目標(biāo)準(zhǔn)明細(xì)