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檢測(cè)方式
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檢測(cè)費(fèi)用
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檢測(cè)產(chǎn)品
0光電三*管簡(jiǎn)介
光電三*管也是一種晶體管，它有三個(gè)電*。當(dāng)光照強(qiáng)弱變化時(shí)，電*之間的電阻會(huì)隨之變化。
1光電三*管基本結(jié)構(gòu)
光電晶體管和普通晶體管類似，也有電流放大作用。只是它的集電*電流不只是受基*電路的電流控制，也可以受光的控制。
· 光電晶體管的外形，有光窗、集電*引出線、發(fā)射*引出線和基*引出線（有的沒(méi)有）。
· 制作材料一般為半導(dǎo)體硅，管型為NPN型，
· 國(guó)產(chǎn)器件稱為3DU系列。
· 光電晶體管的靈敏度比光電二*管高，輸出電流也比光電二*管大，多為毫安級(jí)。
· 但它的光電特性不如光電二*管好，在較強(qiáng)的光照下，光電流與照度不成線性關(guān)系。
· 所以光電晶體管多用來(lái)作光電開(kāi)關(guān)元件或光電邏輯元件。
· 正常運(yùn)用時(shí)，集電*加正電壓。因此，集電結(jié)為反偏置，發(fā)射結(jié)為正偏置，集電結(jié)為光電結(jié)。
· 當(dāng)光照到集電結(jié)上時(shí)，集電結(jié)即產(chǎn)生光電流Ip向基區(qū)注入，同時(shí)在集電*電路即產(chǎn)生了一個(gè)被放大的電流Ic（=Ie=（1+β）Ip）β為電流放大倍數(shù)。
因此，光電晶體管的電流放大作用與普通晶體管在上偏流電路中接一個(gè)光電二*管的作用是完全相同的。
2光電三*管工作原理
光電三*管是在光電二*管的基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的光電器件，它本身具有放大功能。常見(jiàn)的光電三*管外形如圖l所示，文字符號(hào)表示為VT或V。
目前的光電三*管是采用硅材料制作而成的。這是由于硅元件較鍺元件有小得多的暗電流和較小的溫度系數(shù)。硅光電三*管是用N型硅單晶做成N—P—N結(jié)構(gòu)的。管芯基區(qū)面積做得較大，發(fā)射區(qū)面積卻做得較小，入射光線主要被基區(qū)吸收。與光電二*管一樣，入射光在基區(qū)中激發(fā)出電子與空穴。在基區(qū)漂移場(chǎng)的作用下，電子被拉向集電區(qū)，而空穴被積聚在靠近發(fā)射區(qū)的一邊。由于空穴的積累而引起發(fā)射區(qū)勢(shì)壘的降低，其結(jié)果相當(dāng)于在發(fā)射區(qū)兩端加上一個(gè)正向電壓，從而引起了倍率為β+1(相當(dāng)于三*管共發(fā)射*電路中的電流增益)的電子注入，這就是硅光電三*管的工作原理。
光電三*管的應(yīng)用電路
光電三*管主要應(yīng)用于開(kāi)關(guān)控制電路及邏輯電路。
3光電三*管種類選擇
由外觀上, 可以區(qū)分為罐封閉型和樹(shù)脂封入型, 而各型又可分別分為附有透鏡之型式 及單純附有窗口之型式.就半導(dǎo)體晶方 言之,材料有硅(Si)和鍺(Ge),大部份為硅.在晶方構(gòu)造方面,可分為普通晶體管型和達(dá)林頓 晶體管型.再?gòu)挠猛炯右苑诸悤r(shí),可以分為以交換動(dòng)作為目的之光敏三*管和需要直線性之光敏三*管,但光敏三*管的主流為交換組件,需要直線性時(shí),通常使用光二*管.
在實(shí)際選用光敏三*管時(shí),應(yīng)注意按參數(shù)要求選擇管型.如要求靈敏度高,可選用達(dá)林頓型光敏三*管;如要求響應(yīng)時(shí)間快,對(duì)溫度敏感性小,就不選用光敏三*管而選用光敏二*管.探測(cè)暗光一定要選擇暗電流小的管子,同時(shí)可考慮有基*引出線的光敏三*管,通過(guò)偏置取得合 適的工作點(diǎn),提高光電流的放大系數(shù).例如,探測(cè)10-3勒克斯的弱光,光敏三*管的暗電流必須小于0.1nA.
4光電三*管基本特性
伏安曲線
光電三*管在偏置電壓為零時(shí)，無(wú)論光照度有多強(qiáng)，集電*電流都為零。偏置電壓要保證光電三*管的發(fā)射結(jié)處于正向偏置，而集電結(jié)處于反向偏置。隨著偏置電壓的增高伏安特性曲線趨于平坦。
光電三*管的伏安特性曲線向上偏斜，間距增大。這是因?yàn)楣怆娙?管除具有光電靈敏度外，還具有電流增益β，并且，β值隨光電流的增大而增大。
時(shí)間響應(yīng)
光電三*管的時(shí)間響應(yīng)常和PN結(jié)的結(jié)構(gòu)及偏置電路等參數(shù)有關(guān)。
光電三*管的時(shí)間響應(yīng)由以下四部分組成：
① 光生載流子對(duì)發(fā)射結(jié)電容Cbe和集電結(jié)電容Cbc的充放電時(shí)間；② 光生載流子渡越基區(qū)所需要的時(shí)間；
③ 光生載流子被收集到集電*的時(shí)間；
④輸出電路的等效負(fù)載電阻RL和等效電容Cce所構(gòu)成的RC時(shí)間；
總時(shí)間常數(shù)為上述四項(xiàng)和。比光電二*管的時(shí)間響應(yīng)長(zhǎng)。
溫度影響
硅光電二*管和硅光電三*管的暗電流Id和光電流IL均隨溫度而變化，由于硅光電三*管具有電流放大作用，所以硅光電三*管的暗電流Id和亮電流IL受溫度的影響要比硅光電二*管大得多。
光譜響應(yīng)
光電二*管和光電三*管具有相同的光譜響應(yīng)。
它的響應(yīng)范圍為0.4~1.1μm，峰值波長(zhǎng)為0.85μm。
5光電三*管測(cè)試方法
(1)電阻測(cè)量法(指針式萬(wàn)用表1kΩ擋)。黑表筆接c*，紅表筆接e*，無(wú)光照時(shí)指針微動(dòng)(接近∞)，隨著光照的增強(qiáng)電阻變小，光線較強(qiáng)時(shí)其阻值可降到幾kΩ～1kΩ以下。再將黑表筆接e*，紅表筆接c*，有無(wú)光照指針均為∞(或微動(dòng))，這管子就是好的。
(2)測(cè)電流法。工作電壓5V，電流表串接在電路中，c*接正，e*接負(fù)，。無(wú)光照時(shí)小于0?3μA；光照增加時(shí)電流增加，可達(dá)2～5mA。
若用數(shù)字式萬(wàn)用表20kΩ擋測(cè)試，紅表筆接c*，黑表筆接e*，完全黑暗時(shí)顯示1，光線增強(qiáng)時(shí)阻值隨之降低，較小可達(dá)1kΩ左右。
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檢測(cè)流程步驟
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