二次離子質(zhì)譜(SIMS)檢測項目及標準方法大全

標準分類中，sims涉及到分析化學、光學和光學測量、微生物學、半導體材料、醫(yī)療設(shè)備。

在中國標準分類中，sims涉及到基礎(chǔ)標準與通用方法、化學、半金屬與半導體材料綜合、基礎(chǔ)標準與通用方法、基礎(chǔ)學科綜合、一般與顯微外科器械、輕金屬及其合金分析方法、基礎(chǔ)標準與通用方法、光學計量儀器。

日本工業(yè)標準調(diào)查會，關(guān)于sims的標準

JIS K0169-2012 表面化學分析.二次離子質(zhì)譜(SIMS).帶多重亞鉛層對照物的深度分辨率參數(shù)估算方法

美國材料與試驗協(xié)會，關(guān)于sims的標準

ASTM E1880-2012 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 進行組織低溫截面分析的標準實施規(guī)程

ASTM E1881-2012 用次級離子質(zhì)譜法 (SIMS) 對細胞培養(yǎng)分析的標準指南

ASTM E1162-2011 報告次級離子質(zhì)譜分析法(SIMS)中濺深深度文件數(shù)據(jù)的標準操作規(guī)程

ASTM E1438-2011 使用SIMS測量濺鍍深度剖面接口寬度的標準指南

ASTM E1881-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進行細胞培養(yǎng)分析的標準指南

ASTM E1880-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)進行組織低溫截面分析的標準實施規(guī)程

ASTM E1635-2006(2011) 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)報告標準規(guī)程

ASTM E1438-2006 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量深度摻雜分布界面寬度標準指南

ASTM E1504-2006 次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準實施規(guī)程

ASTM E1635-2006 報告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)成像數(shù)據(jù)用標準實施規(guī)程

ASTM E1162-2006 報告次級離子質(zhì)譜法(SIMS)中濺射深度截面數(shù)據(jù)的標準實施規(guī)程

ASTM E2426-2005 用SIMS測量同位素比率對脈沖計算系統(tǒng)死時間測定的標準實施規(guī)程

ASTM F1617-1998 用次級離子質(zhì)譜測定法(SIMS)測定表面鈉,鋁,鉀-硅和EPI襯底的標準試驗方法

ASTM E1880-1997(2002) SIMS組織低溫部分分析的標準操作規(guī)程

ASTM E1881-1997 SIMS細胞培養(yǎng)分析的標準指南

ASTM E1881-1997(2002) SIMS細胞培養(yǎng)分析的標準指南

ASTM E1880-1997 SIMS組織低溫部分分析的標準操作規(guī)程

ASTM E1504-1992(2001) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準規(guī)范

ASTM E1505-1992(1996) 根據(jù)離子移植外標物測定 SIMS 有關(guān)敏感因素的標準指南

ASTM E1504-1992(1996) 次級離子質(zhì)譜(SIMS)測定中質(zhì)譜數(shù)據(jù)報告的標準規(guī)范

ASTM E1505-1992(2001) 根據(jù)離子移植外標物測定 SIMS 有關(guān)敏感因素的標準指南

ASTM E1438-1991(2001) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度

ASTM E1438-1991(1996) 用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)測量濺射深度成形界面的寬度

ASTM E1162-1987(1996) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報告濺射深度截面數(shù)據(jù)

ASTM E1162-1987(2001) 二次離子質(zhì)譜法(SIMS)中報告濺射深度截面數(shù)據(jù)

德國標準化學會，關(guān)于sims的標準

DIN 13133-1-2005 醫(yī)療儀器.Sims型彎形子宮剪.第1部分:不含硬質(zhì)合金鑲片

檢測流程步驟

溫馨提示：以上內(nèi)容僅供參考使用，更多檢測需求請咨詢客服。

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