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掃描電鏡&能譜(SEM&EDS)分析

檢測報告圖片樣例

微觀的世界是什么樣子的呢?肉眼能直接觀察的樣子在微觀下還是本來的樣子嗎?在實際應用中,當出現(xiàn)失效問題后,往往在宏觀層面是不能發(fā)現(xiàn)問題點,必須進行放大一定倍數(shù)進行觀察。

現(xiàn)對微觀位置或微觀形貌的觀察常用掃描電子顯微鏡(掃面電鏡SEM):種介于透射電子顯微鏡和光學顯微鏡之間的一種觀察手段。其利用聚焦的很窄的高能電子束來掃描樣品, 通過光束與物質間的相互作用, 來激發(fā)各種物理信息, 對這些信息收集、放大、再成像以達到對物質微觀形貌表征的目的。

圖 a.掃描電子顯微鏡原理圖;b.掃描電子顯微鏡電子信號示意圖。

(圖片來源:電子顯微學報)

此外, 掃描電子顯微鏡和其他分析儀器相結合, 可以做到觀察微觀形貌的同時進行物質微區(qū)成分分析,如:X-射線能量色譜儀(EDS)

EDS能譜分析是當X射線光子進入檢測器后,在Si晶體內(nèi)激發(fā)出一定數(shù)目的電子空穴對。產(chǎn)生一個空穴對的*低平均能量ε是一定的(在低溫下平均為3.8ev),而由一個X射線光子造成的空穴對的數(shù)目為N=△E/ε,因此,入射X射線光子的能量越高,N就越大。利用加在晶體兩端的偏壓收集電子空穴對,經(jīng)過前置放大器轉換成電流脈沖,電流脈沖的高度取決于N的大小。電流脈沖經(jīng)過主放大器轉換成電壓脈沖進入多道脈沖高度分析器,脈沖高度分析器按高度把脈沖分類進行計數(shù),這樣就可以描出一張X射線按能量大小分布的圖譜。

失效分析實驗室配備先進的冷場發(fā)射掃描電子顯微鏡,分辨率:優(yōu)秀的低加速電壓成像能力,1kv分辨率可達1.3nm;放大倍數(shù):*小≥20倍,*大≤80萬倍(底片模式);*小≥80倍,*大≤200萬倍;可以根據(jù)樣品類型和觀測要求選擇不同加速電壓。硅漂移型探測器,低噪音電子元器件和X4脈沖處理器的結合,能夠在1,500,000 cps的計數(shù)率下對樣品進行面分析,并在400,000 cps計數(shù)率下進行*定量。晶體尺寸40mm2,分析速度快,探測靈敏度高;分辨率高達127eV,可以進行點掃、線掃、面掃,區(qū)域掃。

使用SEM&EDS觀察微觀粒子形貌并做成分分析:

使用SEM觀察表面鍍層開裂形貌、觀察不同材料斷口微觀特征形態(tài)及成分

檢測項目執(zhí)行標準

JY/T 0584-2020掃描電子顯微鏡分析方法通則

GB/T 17359-2012微束分析 能譜法定量分析

GB/T 16594-2008微米級長度的掃描電鏡測量方法通則

優(yōu)勢:

  • 我們配備專業(yè)的人員進行操作,更高效的滿足客戶測試需求,更好的保證測試質量及結果準確性。
  • 設備獨立樣品室設計,抽真空時間更短,現(xiàn)場實際使用率更高。
  • 我們的場發(fā)射電鏡具有優(yōu)秀的低加速電壓成像能力,1kv分辨率可達到1.3nm,對比市場鎢燈絲電鏡觀察效果更清晰,測量數(shù)據(jù)更準確。
  • 可根據(jù)客戶需求安排現(xiàn)場測試,*快可當天預約當天測試。

檢測流程步驟

檢測流程步驟

溫馨提示:以上內(nèi)容僅供參考使用,更多檢測需求請咨詢客服。

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